专利号：CN201110152492.2
专利名称：一种晶体硅切割废料氮化反应烧结碳化硅的方法
申请日：2011-06-09
专利类型：授权发明
支付方式：面议
支付标准：面议
项目详情：本发明属于二次资源综合利用领域，具体涉及一种晶体硅切割废料氮化反应烧结碳化硅的方法，按如下步骤进行：将晶体硅切割废料和生产碳化硅切割粉时产生的超细碳化硅微粉，按照游离硅占原料总量5-25wt%配料混合成型后，向原料中加入粘结剂制成生坯，在氮化炉中通入纯度99wt%以上的高纯氮气并对生坯加热进行氮化处理，得到氮化硅反应烧结碳化硅的制品。本发明所使用的主要原料是工业生产中的废弃料，来源广泛，价格便宜，变废为宝，同时工艺过程所需的时间短、温度低，大大降低了制造成本。
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